| 光电子半导体芯片及其制造方法 | |
| W.施密德; P.孙德格伦 | |
| 2019-03-08 | |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 专利号 | CN106415855B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光电子半导体芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 半导体芯片（1）包括具有n导通的层序列（21）以及p导通的层序列（23）和位于其间的用于产生电磁辐射的有源区（22）的半导体层序列（2）。此外，在半导体层序列（2）中，蚀刻标志层（24）位于p导通的层序列（23）中或上。此外，半导体层序列（3）上的蚀刻结构（3）位于蚀刻标志层（24）的背向有源区（22）的侧上。蚀刻结构（3）伸展至少直至蚀刻标志层（24）中。蚀刻标志层（24）具有标志成分，该标志成分在朝向蚀刻结构（3）的方向上与蚀刻标志层（24）相邻的层（25）中不存在或减少。 |
| 公开日期 | 2019-03-08 |
| 申请日期 | 2015-05-20 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49369]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | W.施密德,P.孙德格伦. 光电子半导体芯片及其制造方法. CN106415855B. 2019-03-08. |
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