| 一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件及其制作方法 | |
| 徐天鸿; 曹俊诚 | |
| 2019-03-01 | |
| 著作权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 专利号 | CN105742961B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件及其制作方法，所述器件包括：半绝缘GaAs衬底；位于该衬底上表面的GaAs缓冲层；位于该缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于该下接触层表面的有源区；位于有源区表面的n型重掺杂上接触层；位于n型重掺杂上接触层表面且各自分隔的第一、第二、第三上电极金属层，第一上电极金属层与第二上电极金属层之间设有凹至GaAs缓冲层的深隔离槽，第三上电极金属层为退火后可形成高波导损耗的上电极金属层；以及位于n型重掺杂下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层。通过本发明提供的一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件及其制作方法，解决了现有技术中无法测得THz QCL在可工作电流密度范围内完整的增益谱变化情况的问题。 |
| 公开日期 | 2019-03-01 |
| 申请日期 | 2016-04-22 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49366]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐天鸿,曹俊诚. 一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件及其制作方法. CN105742961B. 2019-03-01. |
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