| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 | |
| 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋 | |
| 2019-03-01 | |
| 著作权人 | 华南理工大学 |
| 专利号 | CN208570525U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱，该InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括Si/石墨烯复合衬底、生长在Si/石墨烯复合衬底上的n型掺杂GaN纳米柱，生长在n型掺杂GaN纳米柱顶部上的InGaN/GaN多量子阱，生长在InGaN/GaN多量子阱顶部的p型掺杂GaN纳米柱。本实用新型的制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱纳米柱缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。 |
| 公开日期 | 2019-03-01 |
| 申请日期 | 2018-06-30 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49362]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国强,高芳亮,张曙光,等. 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱. CN208570525U. 2019-03-01. |
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