| 硅基横向注入激光器及其制备方法 | |
| 刘智; 成步文; 李传波; 薛春来; 王启明 | |
| 2019-02-15 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN106229813B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 硅基横向注入激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种硅基横向注入激光器及其制备方法，该硅基横向注入激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底上面的中间制作有波导沟槽，该硅衬底上面波导沟槽的两侧形成有p型掺杂区和n型掺杂区；一二氧化硅窗口层，其制作在硅衬底的部分表面，该二氧化硅窗口层对应所述p型掺杂区和n型掺杂区的上面分别开有侧窗口；一条形波导，生长在硅衬底的波导沟槽中；一绝缘介质层，其制作在条形波导的表面，以及覆盖二氧化硅窗口层的表面；一p电极，其制作在p型掺杂区上的二氧化硅窗口层的一侧窗口内；一n电极，其制作在n型掺杂区上的二氧化硅窗口层的另一侧窗口内。本发明可以提高其与硅CMOS工艺的兼容性。 |
| 公开日期 | 2019-02-15 |
| 申请日期 | 2016-09-21 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49356]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘智,成步文,李传波,等. 硅基横向注入激光器及其制备方法. CN106229813B. 2019-02-15. |
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