| 基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法 | |
| 许俊杰; 梁松; 朱洪亮 | |
| 2019-01-18 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN106058639B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法。所述方法包括：选区外延掩模设计；2.选取外延掩模图形制作；3.选区外延；4.激光器腔体结构制作；5.电隔离制作；6.电极制作；7.解理得到管芯激光器。本发明通过一次选区外延同时定义锁模激光器的增益区、饱和吸收区和有源无源腔比例，通过碰撞锁模的原理压缩脉冲宽度、提高锁模频率，通过无源外腔的技术降低脉冲重频的时域抖动，最终实现窄脉冲的稳定重频(按应用需求可高可低)输出。 |
| 公开日期 | 2019-01-18 |
| 申请日期 | 2016-06-20 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49349]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许俊杰,梁松,朱洪亮. 基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法. CN106058639B. 2019-01-18. |
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