少模面发射激光器
刘建国; 于丽娟; 苏亚嫚; 祝宁华
2018-12-07
著作权人中国科学院半导体研究所
专利号CN105428999B
国家中国
文献子类授权发明
其他题名少模面发射激光器
英文摘要本发明公开了少模面发射激光器结构,其中包括:一衬底,该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料;一n型分布布拉格反射器(DBR),该n型DBR制作在衬底上;一n型限制层,该n型限制层制作在n型DBR上;一有源层,该有源层制作在n型限制层上;一p型限制层,该p型限制层制作在有源区上;一p型DBR,该p型DBR制作在p型限制层上;一离子注入区,该离子注入区注入在p型DBR以及p型限制层特定的区域中,并与有源区保持一定的距离,对注入载流子进行限制作用;一p面电极,该p面电极制作在p型DBR上,包含三个透明电极,不同电极用来调制不同的横模模式;一n面电极,该n面电极制作在衬底的下面。
公开日期2018-12-07
申请日期2015-12-29
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49334]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘建国,于丽娟,苏亚嫚,等. 少模面发射激光器. CN105428999B. 2018-12-07.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace