| 共腔双波长分布反馈激光器的制作方法 | |
| 邓秋芳; 朱洪亮; 许俊杰; 梁松 | |
| 2018-06-29 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN105406355B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 共腔双波长分布反馈激光器的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，该方法包括如下步骤：步骤1：在掺杂磷化铟衬底上制作下层光栅；步骤2：在下层光栅上外延生长下光栅覆盖层和有源区层；步骤3：在有源区层上制作上层光栅；步骤4：在上层光栅上外延生长掺杂磷化铟盖层和重掺杂欧姆接触层；步骤5：按标准激光器管芯工艺完成后续制作。本发明相比现有技术的双模DFB激光器，其主要区别为光栅的制作方式，是在共腔有源区的下层和上层制作出两套不同周期的DFB光栅，从而达到同时输出两个DFB波长的效果。 |
| 公开日期 | 2018-06-29 |
| 申请日期 | 2015-12-22 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49303]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓秋芳,朱洪亮,许俊杰,等. 共腔双波长分布反馈激光器的制作方法. CN105406355B. 2018-06-29. |
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