量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法 | |
张锦川; 刘峰奇; 梁平; 胡颖; 王利军; 刘俊岐; 王占国 | |
2018-05-25 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN105244761B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法 |
英文摘要 | 一种量子级联激光器相干阵列结构,包括:一衬底;一下波导层;一有源层,该有源层在横向被分成若干个不等宽度的微米条阵列,中间的微米条最宽,向两侧微米条宽度依次递减;一半绝缘InP:Fe层,该半绝缘InP:Fe层位于有源层的两侧且等宽度用来隔离微米条阵列;一上波导层。以及一种采用该相干阵列结构的量子级联激光器及其制造方法。本发明通过啁啾的有源脊宽度设计调整了微米条阵列间的增益分配,使基超模具有最低的波导损耗从而优先激射,从而改善了光束质量,同时利用半绝缘InP作为有源层的分隔区和光场的耦合区,不但实现了阵列的相干激射而且显著降低了有源区的工作温度,从而有利于提高器件的输出功率。 |
公开日期 | 2018-05-25 |
申请日期 | 2015-10-27 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49294] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张锦川,刘峰奇,梁平,等. 量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法. CN105244761B. 2018-05-25. |
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