一种提高氮化镓基激光器性能的方法 | |
李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 | |
2018-04-10 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN105048285B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 一种提高氮化镓基激光器性能的方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种氮化镓基激光器及其制备方法。所述方法包括以下步骤:步骤1:在氮化镓衬底上依次制作n型限制层、n型波导层、量子阱有源区、电子阻挡层、插入层、p型波导层、p型限制层和p型接触层;步骤2:将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型;步骤3:在制作成的所述脊型上生长一层氧化模,并采用光刻的方法制作p型欧姆电极;步骤4:将氮化镓衬底减薄、清洗,并在上面制作n型欧姆电极;步骤5:进行解理、镀膜,最后封装在管壳上,制成氮化镓激光器。本发明提出的上述激光器,由于插入层的引入,能带结构上带来两方面的好处:第一,使空穴容易注入。第二,电子有效势垒增大。 |
公开日期 | 2018-04-10 |
申请日期 | 2015-08-31 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49286] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李翔,赵德刚,江德生,等. 一种提高氮化镓基激光器性能的方法. CN105048285B. 2018-04-10. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论