与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺 | |
陈弘达; 刘海军; 高鹏; 顾明 | |
2008-02-13 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN100369339C |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺 |
英文摘要 | 本发明涉及半导体发光器件技术领域,特别是一种与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺。本发明采用SOI晶片为衬底,利用与标准集成电路工艺兼容的工艺制作,有源区采用PN结发光二极管结构,有源区两侧的无源区内分别设置DBR布拉格全反射器和DBR半反射器,构成谐振腔。 |
公开日期 | 2008-02-13 |
申请日期 | 2005-09-28 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49247] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈弘达,刘海军,高鹏,等. 与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺. CN100369339C. 2008-02-13. |
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