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	抑制GaAs基激光器高阶模的方法
	李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军
	2017-09-26
著作权人	中国科学院半导体研究所
专利号	CN104300367B
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	抑制GaAs基激光器高阶模的方法
英文摘要	一种抑制GaAs基激光器高阶模的方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型高折射率插入层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型高折射率插入层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型；步骤3：在制作成脊型的上面生长一层氧化模，并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗，并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；步骤5：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备。本发明通过对高折射率层合适的掺杂来增加高阶模的光学损耗，提高高阶模的激射阈值。
公开日期	2017-09-26
申请日期	2014-10-21
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49237]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李翔,赵德刚,江德生,等. 抑制GaAs基激光器高阶模的方法. CN104300367B. 2017-09-26.

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