| MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法 | |
| 徐军; 周圣明; 杨卫桥; 彭观良; 李抒智; 周国清; 宋词; 杭寅; 蒋成勇; 赵广军 | |
| 2005-07-13 | |
| 著作权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 专利号 | CN1210817C |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgO单晶上设有一层MgIn2O4覆盖层构成。该复合衬底材料的制备方法是：先利用脉冲激光淀积方法在MgO单晶衬底上制备In2O3薄膜，然后在高温下，通过In2O3与MgO的固相反应，在MgO单晶衬底上形成MgIn2O4覆盖层。本发明的复合衬底材料的制备工艺简单、易操作，此种结构的复合衬底(MgIn2O4/MgO)适合于高质量GaN的外延生长。 |
| 公开日期 | 2005-07-13 |
| 申请日期 | 2003-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49221]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,周圣明,杨卫桥,等. MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法. CN1210817C. 2005-07-13. |
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