锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法

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	锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法
	张伟; 王利军; 刘俊岐; 李路; 张全德; 陆全勇; 高瑜; 刘峰奇; 王占国
	2013-09-04
著作权人	中国科学院半导体研究所
专利号	CN102055135B
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法
英文摘要	本发明公开了一种近衍射极限光束输出的锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法。该激光器包括：衬底，及其在衬底上依次生长的下波导层、有源区、上波导层、上覆盖层、上接触层、欧姆接触层、电绝缘层、正面电极和衬底背面电极。该激光器采用脊型台面双沟波导结构，脊型台面结构由均匀脊宽的主控振荡区和锥形结构的增益放大区两部分组成；光子晶体结构用以提供分布反馈波导，制作于上接触层和欧姆接触层之中。利用本发明，能够获得单模近衍射极限光束输出；采用脊型台面结合锥形增益放大区的波导结构，大大降低了远场发散角，在提高输出功率的同时又避免了同类宽脊型大功率器件难以避免的散热问题。
公开日期	2013-09-04
申请日期	2009-11-04
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49217]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张伟,王利军,刘俊岐,等. 锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法. CN102055135B. 2013-09-04.