| 气相共形薄膜生长制备光子量子点的方法 | |
| 陈坤基; 陈三; 钱波; 李卫; 张贤高; 李伟; 徐骏; 黄信凡 | |
| 2009-02-25 | |
| 著作权人 | 南京大学 |
| 专利号 | CN100464472C |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 气相共形薄膜生长制备光子量子点的方法 |
| 英文摘要 | 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a-SiNz的受DBR三维限制微腔；其中设有两个DBR位于有源层两侧，微腔的谐振波长为λ，DBR包括6±2个周期的低折射率层和高折射层的a-SiNx/a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射率层之间a-SiNx薄膜，厚度为λ/(2n)。 |
| 公开日期 | 2009-02-25 |
| 申请日期 | 2007-04-05 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49182]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈坤基,陈三,钱波,等. 气相共形薄膜生长制备光子量子点的方法. CN100464472C. 2009-02-25. |
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