| 由单步金属有机化学气相沉积制造的掩埋式异质结构器件 | |
| 大卫·P·鲍尔; 斯科特·W·库兹纳 | |
| 2009-04-08 | |
| 著作权人 | 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司 |
| 专利号 | CN100476472C |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 由单步金属有机化学气相沉积制造的掩埋式异质结构器件 |
| 英文摘要 | 本器件是光电子器件或透明波导器件，它包括生长表面(122、生长掩模(132)、光波导芯型平台(140)和包层(160)。生长掩模位于生长表面上，并限定了细长形生长窗口(134)。光波导芯型平台位于生长窗口中，并具有梯形截面形状。包层覆盖光波导芯型平台，并延伸到至少部分生长掩模上方。这种器件是通过提供具有生长表面(122)的晶片(110)、在第一生长温度下通过微选择区域生长在生长表面上生长光波导芯型平台(140)、并在低于第一生长温度的第二生长温度下用包层材料(160)覆盖光波导芯型平台而制造的。 |
| 公开日期 | 2009-04-08 |
| 申请日期 | 2005-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49180]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大卫·P·鲍尔,斯科特·W·库兹纳. 由单步金属有机化学气相沉积制造的掩埋式异质结构器件. CN100476472C. 2009-04-08. |
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