| 具有氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜激光二极管的制造方法 | |
| 钱时昌 | |
| 2015-06-10 | |
| 著作权人 | 溧阳华晶电子材料有限公司 |
| 专利号 | CN103166114B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 具有氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜激光二极管的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种采用氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管，该激光二极管的结构为：n型氧化镍薄膜，其形成在蓝宝石衬底的上表面上；氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜，其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上，以及底电极，其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上，顶电极，其形成在所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上。 |
| 公开日期 | 2015-06-10 |
| 申请日期 | 2013-03-01 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48742]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 溧阳华晶电子材料有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钱时昌. 具有氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜激光二极管的制造方法. CN103166114B. 2015-06-10. |
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