| 外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器 | |
| 沈光地; 徐晨; 解意洋; 陈弘达; 阚强; 王春霞; 刘英明; 王宝强 | |
| 2012-05-23 | |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 专利号 | CN101588019B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器 |
| 英文摘要 | 外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。 |
| 公开日期 | 2012-05-23 |
| 申请日期 | 2009-06-19 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48658]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈光地,徐晨,解意洋,等. 外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器. CN101588019B. 2012-05-23. |
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