| 一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器 | |
| 张斯钰; 乔忠良; 薄报学; 高欣; 曲轶; 李辉; 王玉霞; 李占国; 芦鹏; 王勇 | |
| 2013-04-10 | |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 专利号 | CN102013629B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器结构，由多个在半导体激光器外延片上刻蚀的脊形环相互耦合构成，由两个四分之一环耦合输出。该器件结构和工艺属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用不同结构环形激光器的不同Q值特性，相互耦合后光束Q值特性进一步提高，器件只需在前腔面镀腔面膜，后腔面不需要镀膜或只需镀层增透膜。该结构器件结构、制备工艺简单，成本低，能提高激光器的Q值，提高了器件效率，大幅改善器件输出光束质量。该技术方案适用于各种波长的、集成的环形半导体激光器。 |
| 公开日期 | 2013-04-10 |
| 申请日期 | 2010-11-10 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48649]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张斯钰,乔忠良,薄报学,等. 一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器. CN102013629B. 2013-04-10. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论