一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器 | |
张斯钰; 乔忠良; 薄报学; 高欣; 曲轶; 李辉; 王玉霞; 李占国; 芦鹏; 王勇 | |
2013-04-10 | |
著作权人 | 长春理工大学 |
专利号 | CN102013629B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器 |
英文摘要 | 本发明公开了一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器结构,由多个在半导体激光器外延片上刻蚀的脊形环相互耦合构成,由两个四分之一环耦合输出。该器件结构和工艺属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用不同结构环形激光器的不同Q值特性,相互耦合后光束Q值特性进一步提高,器件只需在前腔面镀腔面膜,后腔面不需要镀膜或只需镀层增透膜。该结构器件结构、制备工艺简单,成本低,能提高激光器的Q值,提高了器件效率,大幅改善器件输出光束质量。该技术方案适用于各种波长的、集成的环形半导体激光器。 |
公开日期 | 2013-04-10 |
申请日期 | 2010-11-10 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48649] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 长春理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张斯钰,乔忠良,薄报学,等. 一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器. CN102013629B. 2013-04-10. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论