一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构

	一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构
	刘兴胜; 吴的海; 石钟恩
	2017-10-20
著作权人	西安炬光科技股份有限公司
专利号	CN206575012U
国家	中国
文献子类	实用新型
其他题名	一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构
英文摘要	本实用新型提出一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构，使其可以在全温度范围下工作。该高功率半导体激光器封装结构包括激光芯片、加热装置、第一导热衬底和第二导热衬底，分别与激光芯片的N面和P面键合，并在键合面形成电连接；所述加热装置采用通过薄膜工艺或厚膜工艺生成的平面加热元件，位于其中一个导热衬底的外侧表面并与该导热衬底保持绝缘。
公开日期	2017-10-20
申请日期	2017-03-15
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48551]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	刘兴胜,吴的海,石钟恩. 一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构. CN206575012U. 2017-10-20.