3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法

	3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法
	牛智川; 封松林; 杨富华; 王晓东; 汪辉; 李树英; 苗振华; 李树深
	2004-04-07
著作权人	中国科学院半导体研究所
专利号	CN1145247C
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法
英文摘要	本发明提出了一种InGaAs/GaAs自组织量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长技术。通过精确控制分子束外延生长条件一用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温下3微米发光，并显著提高室温下光荧光发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为19.2meV，将其应用于3微米波段的量子点激光器、探测器等各种光电子器件中，将极大地改善该类器件的性能如：降低其激光器阈值电流、增强探测器灵敏度等。
公开日期	2004-04-07
申请日期	2001-02-26
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48327]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川,封松林,杨富华,等. 3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法. CN1145247C. 2004-04-07.