| 一种基于深刻蚀槽的多段式FP腔单波长激光器 | |
| 王磊; 王寅; 杨友光; 何建军 | |
| 2013-03-13 | |
| 著作权人 | 浙江大学 |
| 专利号 | CN102545045B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种基于深刻蚀槽的多段式FP腔单波长激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于深刻蚀槽的多段式FP腔单波长激光器，其结构至少包括激光器波导、分别位于其两端的第一深刻蚀反射面、第二深刻蚀反射面和分布于其间的深刻蚀槽阵列；深刻蚀槽阵列由2-6个深刻蚀槽组成。激光器制作在半导体外延片上，从下往上分别包括下包层，量子阱层和上包层以及以上所述各层之间的一些辅助层；激光器波导被深刻蚀槽阵列、第一深刻蚀反射面和第二深刻蚀反射面分割成数段独立的波导，每段波导上覆盖有电极，电极上分别注入电流实现对激光器波长和功率的控制；本发明与背景技术相比，仅需要一次外延生长使得生产工序更加简单便宜，制作误差更小；器件运行所需能量损耗更少；激光线宽窄。 |
| 公开日期 | 2013-03-13 |
| 申请日期 | 2012-02-15 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48222]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王磊,王寅,杨友光,等. 一种基于深刻蚀槽的多段式FP腔单波长激光器. CN102545045B. 2013-03-13. |
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