| 半導體二極體雷射 | |
| 休伯特斯.彼得斯.麥契狄德斯.瑪利安伯希斯; 傑.歐希荷 | |
| 1993-10-01 | |
| 著作权人 | 飛利浦電泡廠 |
| 专利号 | TW214327U |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 半導體二極體雷射 |
| 英文摘要 | 所謂非吸收性反射鏡NAM(=Non-Absorbing Mirror)型之半導體二極體雷射，由於具高放射功率故於光學系統中用作寫入（及讀出）雷射。此型之已知雷射於活性區域(13')及於反射鏡區域(17，19)二者中，包含充填於一槽之包蓋層(1)，且係提供於一吸收層(9)(17，19)。藉吸收所產生輻射之一部分，此基本之橫向模式乃有利於((13')，(17，19))兩區域。由於反射鏡區域(17，19)中之吸收，反射鏡作用之退化因而發生，此乃限制雷射之最大功率與壽命。 依據本創作之半導體二極體雷射係於其反射鏡區域(17，19)中包含第一包蓋層(1')、輻射引導層(2')與第三包蓋層(6)。於輻射引導層(2')中，一輻射引導(15)係藉配置於輻射引導層(2')中之裝置(12)所形成，藉此一步驟乃形 成於有效之折射率中。此外，位於輻射引導(15)之放大輪廓中之層次(1'，2'，6)具有較活性層(3)為大之能帶隙。由於基於本創作之措施，並無輻射吸收發生於反射鏡區域(17，19)中。結果，反射退化乃受限制以使獲得雷射具有可用之高功率與長壽命。此裝置(12)例如係在於縮減之厚度，或由摻雜所引起之在輻射引導(15)任一邊輻射引導層(2')成份之變動所致。於反射鏡(17，19)中橫向模式之穩定，係藉於有效折射率中選擇充分小之步階而獲得。此外，本創作對NAM-LOC式(LOC=Large Optical Cavity大光腔)亦屬有利。依據本創作之技術具有其優點，即一半導體二極體雷射藉具有所需特性，與除MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy有機金屬外延)外無需其它成長技術(參閱圖1)。 |
| 公开日期 | 1993-10-01 |
| 申请日期 | 1990-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48210]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 飛利浦電泡廠 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 休伯特斯.彼得斯.麥契狄德斯.瑪利安伯希斯,傑.歐希荷. 半導體二極體雷射. TW214327U. 1993-10-01. |
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