高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法
李传波; 毛容伟; 左玉华; 成步文; 余金中; 王启明
2006-10-11
著作权人中国科学院半导体研究所
专利号CN1279611C
国家中国
文献子类授权发明
其他题名高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法
英文摘要本发明一种高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法,包括如下工艺步骤:a)在SOI材料上顺序生长有源层和欧姆接触层;b)将生长有有源层的SOI硅片的背面进行减薄抛光;c)双面生长掩膜层,并进行背面光刻腐蚀至埋层二氧化硅层;d)然后在外延层上光刻腐蚀形成有有源层和欧姆接触层的台面,并制作上下电极;以及e)最后生长上下布拉格反射镜,形成共振腔探测器。
公开日期2006-10-11
申请日期2004-02-04
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48207]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李传波,毛容伟,左玉华,等. 高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法. CN1279611C. 2006-10-11.
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