高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法 | |
李传波; 毛容伟; 左玉华; 成步文; 余金中; 王启明 | |
2006-10-11 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN1279611C |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法 |
英文摘要 | 本发明一种高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法,包括如下工艺步骤:a)在SOI材料上顺序生长有源层和欧姆接触层;b)将生长有有源层的SOI硅片的背面进行减薄抛光;c)双面生长掩膜层,并进行背面光刻腐蚀至埋层二氧化硅层;d)然后在外延层上光刻腐蚀形成有有源层和欧姆接触层的台面,并制作上下电极;以及e)最后生长上下布拉格反射镜,形成共振腔探测器。 |
公开日期 | 2006-10-11 |
申请日期 | 2004-02-04 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48207] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李传波,毛容伟,左玉华,等. 高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法. CN1279611C. 2006-10-11. |
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