| 发光装置及其形成方法 | |
| 黄信杰 | |
| 2014-05-14 | |
| 著作权人 | 晶元光电股份有限公司 |
| 专利号 | CN102194945B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 发光装置及其形成方法 |
| 英文摘要 | 一种发光装置及其形成方法，所述发光装置包括：一不平整基板，包括自该不平整基板的一顶面延伸进入该不平整基板内的一第一沟槽，其中该沟槽包括一第一侧壁与一底部。一发光单元，位于该不平整基板上且包括一有源层及具相反导电特性的一第一覆盖层与一第二覆盖层，其中该有源层包括平行于该第一侧壁的一第一部以及平行于该沟槽的该底部的一第二部，而该第一覆盖层与该第二覆盖层位于该有源层的相对侧。本发明可增加光输出区域并可增加单一芯片的出射光总量。 |
| 公开日期 | 2014-05-14 |
| 申请日期 | 2010-08-06 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48148]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 晶元光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄信杰. 发光装置及其形成方法. CN102194945B. 2014-05-14. |
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