| 氮化物外延层结构及其制作方法 | |
| 温子稷; 涂如钦; 游正璋; 武良文; 简奉任 | |
| 2007-12-26 | |
| 著作权人 | 璨圆光电股份有限公司 |
| 专利号 | CN100358166C |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物外延层结构及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种氮化物外延层结构及其制作方法，其包括：基板，作为基材；第一中介层，由于该基材上堆叠适当厚度的高温氮化铝铟镓(Al1-x-yGaxInyN)材质所形成；第二中介层，由于该第一中介层上堆叠适当厚度的再结晶氮化铝铟镓(Al1-x-yGaxInyN)材质所形成；以及氮化物外延层，由于该第二中介层上堆叠氮化物外延层材质所形成，因此，可以改善低温氮化铝铟镓缺陷密度过多的问题，而增进其元件特性。 |
| 公开日期 | 2007-12-26 |
| 申请日期 | 2004-09-16 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48114]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 璨圆光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 温子稷,涂如钦,游正璋,等. 氮化物外延层结构及其制作方法. CN100358166C. 2007-12-26. |
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