氮化物外延层结构及其制作方法 | |
温子稷; 涂如钦; 游正璋; 武良文; 简奉任 | |
2007-12-26 | |
著作权人 | 璨圆光电股份有限公司 |
专利号 | CN100358166C |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 氮化物外延层结构及其制作方法 |
英文摘要 | 本发明涉及一种氮化物外延层结构及其制作方法,其包括:基板,作为基材;第一中介层,由于该基材上堆叠适当厚度的高温氮化铝铟镓(Al1-x-yGaxInyN)材质所形成;第二中介层,由于该第一中介层上堆叠适当厚度的再结晶氮化铝铟镓(Al1-x-yGaxInyN)材质所形成;以及氮化物外延层,由于该第二中介层上堆叠氮化物外延层材质所形成,因此,可以改善低温氮化铝铟镓缺陷密度过多的问题,而增进其元件特性。 |
公开日期 | 2007-12-26 |
申请日期 | 2004-09-16 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48114] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 璨圆光电股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 温子稷,涂如钦,游正璋,等. 氮化物外延层结构及其制作方法. CN100358166C. 2007-12-26. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论