| 高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器 | |
| 王涛; 刘俊岐; 刘峰奇; 张锦川; 王利军; 王占国 | |
| 2016-06-01 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN103633559B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器 |
| 英文摘要 | 一种高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器，包括：一高掺杂的接收衬底；一下金属波导光限制层，该下金属波导光限制层是由金属热键合形成，并位于接收衬底上；一下接触层，位于下金属波导光限制层上；一有源层，该有源层生长在下接触层上；一上接触层，该上接触层生长在该有源层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；一上金属层，该上金属层由电子束蒸发于上接触层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；其中，下金属层和下接触层构成下等离子体波导，上金属层和上接触层构成上等离子体波导，上下等离子体波导构成双面金属波导结构；所述下接触层、有源层、上接触层和上金属层被制作成环形结构，环形的有源层形成了环形谐振腔。 |
| 公开日期 | 2016-06-01 |
| 申请日期 | 2013-12-05 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48020]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王涛,刘俊岐,刘峰奇,等. 高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器. CN103633559B. 2016-06-01. |
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