| 一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法 | |
| 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 | |
| 2017-08-25 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN104600565B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，降低了电子能量。电子能量的降低不仅提高了量子阱捕获载流子效率还可以改善量子阱的温度特性，从而减小电子泄漏。本发明利用四元材料作为插入层，通过选择合适的材料组分，不仅使插入层带隙宽度降低，而且可以保持插入层的折射率和n型波导层折射率一致，避免了插入层的引入对光场分布的影响。因此，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，大大改善了GaAs基激光器阈值电流、电光转换效率等性能。 |
| 公开日期 | 2017-08-25 |
| 申请日期 | 2015-01-22 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47944]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李翔,赵德刚,江德生,等. 一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法. CN104600565B. 2017-08-25. |
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