| 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 | |
| 罗帅; 季海铭; 杨涛 | |
| 2013-09-18 | |
| 著作权人 | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 专利号 | CN102684070B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 |
| 英文摘要 | 一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，完成量子点激光器有源区的制备。本发明是在砷化铟/磷化铟量子点生长停顿间隙，通过改变五族保护源流量来抑制As/P互换效应，调控量子点形貌，结合两步生长盖层技术，达到既保持良好光学性能又能调谐发光波长的目的。这种方法可以实现InAs/InP量子点发光波从3-7微米(μm)宽达400nm的范围内可控调节。 |
| 公开日期 | 2013-09-18 |
| 申请日期 | 2012-05-15 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47913]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗帅,季海铭,杨涛. 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法. CN102684070B. 2013-09-18. |
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