| 一種以矽擴散型電流阻擋層製作氮化鎵垂直共振腔面射型發光元件的方法 | |
| 葉秉慧; 余孟純; 林家煥; 黃景勤 | |
| 2016-12-21 | |
| 著作权人 | 國立臺灣科技大學 |
| 专利号 | TWI563756B |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一種以矽擴散型電流阻擋層製作氮化鎵垂直共振腔面射型發光元件的方法 |
| 英文摘要 | 本發明揭露一種以矽擴散型電流阻擋層(silicon-diffusion defined current blocking layer)製作氮化鎵垂直共振腔面射型發光元件，包括垂直共振腔面射型雷射(vertical-cavity surface-emitting laser, VCSEL) 與共振腔發光二極體(resonant-cavity light emitting diode, RCLED)之方法。使表層有矽擴散區域的P型氮化鎵特性轉換成N型氮化鎵，藉此達到電流侷限效果，並保持元件表面平坦，維持後續的光學鍍膜品質。可有效縮小光模直徑，顯著降低發光二極體的半功率角(half-power angle)，預期可以產生單橫模(single transverse mode)發光的垂直共振腔面射型雷射。 |
| 公开日期 | 2016-12-21 |
| 申请日期 | 2014-12-24 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46777]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 國立臺灣科技大學 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 葉秉慧,余孟純,林家煥,等. 一種以矽擴散型電流阻擋層製作氮化鎵垂直共振腔面射型發光元件的方法. TWI563756B. 2016-12-21. |
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