| 半導体導波路型素子の製造法 | |
| 加藤 和利; 秦 進 | |
| 1997-12-05 | |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 专利号 | JP2726204B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体導波路型素子の製造法 |
| 英文摘要 | 【目的】 寄生容量を解消して高速応答可能な半導体導波路型素子を製造する。 【構成】 半導体基板1上に設けられた半導体層2~3上にマスクとしてSiO2層8を設け、これを導波路形成領域で厚く、それ以外の領域で薄く加工し、このSiO2層8を用いてエッチング加工し、さらにSiO2層8全体をエッチングして厚い部分のみを残し、この残ったSiO2層8を用いて半導体層をエッチング加工する。 |
| 公开日期 | 1998-03-11 |
| 申请日期 | 1992-09-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46093]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 和利,秦 進. 半導体導波路型素子の製造法. JP2726204B2. 1997-12-05. |
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