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	用于超高密度光存储的集成式微探尖的选择生长方法
	胡礼中; 张红治; 王志俊; 梁秀萍; 赵宇; 王美田
	2006-03-29
著作权人	大连理工大学
专利号	CN1248238C
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	用于超高密度光存储的集成式微探尖的选择生长方法
英文摘要	本发明属于信息技术领域。本发明的目的是提供一种与VCSEL制作工艺相容的集成式微探尖的制作方法，以解决目前SNOM传感器微探尖制作中腐蚀过程难以精确控制、微探尖与VCSEL出光窗口难以对准和不能批量制作等问题。本发明的技术特征是在已外延生长了pin探测器和VCSEL结构的晶片表面上沉积一层氧化物薄膜并通过常规光刻和腐蚀手段在氧化膜上刻蚀成尺寸与VCSEL的出光窗口匹配的方形窗口阵列，然后利用液相外延生长过程中氧化膜对材料生长的阻断作用和晶体生长过程中的快生长面消失、慢生长面长大原理，在窗口阵列上形成与VCSEL出光窗口对准的金字塔状微探尖。本发明的效果和益处是降低了微型集成式SNOM传感器的制作难度，提高了制作效率和成品率。
公开日期	2006-03-29
申请日期	2003-06-04
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45497]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	大连理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	胡礼中,张红治,王志俊,等. 用于超高密度光存储的集成式微探尖的选择生长方法. CN1248238C. 2006-03-29.

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