边发射半导体激光器芯片 | |
克里斯蒂安·劳尔; 哈拉尔德·科尼格; 沃尔夫冈·赖尔; 尤伟·斯特劳斯 | |
2013-09-18 | |
著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
专利号 | CN102224647B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 边发射半导体激光器芯片 |
英文摘要 | 一种边发射半导体激光器芯片(1)具有:半导体本体(100),其包括至少一个有源区(14),在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10);至少一个接触带(2),其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上;以及至少两个限制结构(4),用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展,其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。 |
公开日期 | 2013-09-18 |
申请日期 | 2009-10-21 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45356] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 克里斯蒂安·劳尔,哈拉尔德·科尼格,沃尔夫冈·赖尔,等. 边发射半导体激光器芯片. CN102224647B. 2013-09-18. |
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