| 基于特殊等效相移的DFB半导体激光器 | |
| 周亚亭; 施跃春; 李思敏; 贾凌慧; 刘盛春; 陈向飞 | |
| 2013-03-13 | |
| 著作权人 | 南京大学 |
| 专利号 | CN101924326B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 基于特殊等效相移的DFB半导体激光器 |
| 英文摘要 | 基于特殊等效相移的DFB半导体激光器，DFB半导体激光器结构由长度相同、取样周期相同的左右两段取样布拉格光栅组成，取样周期从1微米到数十微米量级，但是左右两段取样布拉格光栅的占空比不同，前一部分的占空比为γ，后一部分的占空比则为(1-γ)，γ值的大小在0.3到0.5之间；0级子光栅中折射率调制是一个常数项。在结构中，有个等效λ/4波长相移被引入到除0级外所有影子光栅中；在种子光栅周期保持不变的情况下，只要改变取样周期的大小，就能在其±1级影子光栅中获得不同的激射波长。能较大幅度地提高DFB半导体激光器0级激射所需的阈值电流，从而抑制0级信道可能的激射模式，增加激光器主模与0级间的阈值增益差。 |
| 公开日期 | 2013-03-13 |
| 申请日期 | 2010-09-14 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45320]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周亚亭,施跃春,李思敏,等. 基于特殊等效相移的DFB半导体激光器. CN101924326B. 2013-03-13. |
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