| ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法 | |
| 方国家; 龙浩; 黄晖辉; 李颂战; 莫小明; 王皓宁 | |
| 2011-10-05 | |
| 著作权人 | 常熟紫金知识产权服务有限公司 |
| 专利号 | CN101888061B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法。该紫外发光二极管衬底为生长在蓝宝石上的n型GaN，在衬底自下而上依次有由ZnO和Zn1-xMgxO交替沉积形成的ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第二电极，第一电极与ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层并列沉积在n型GaN膜层上。其制备方法是首先用射频磁控溅射工艺在衬底上制备ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层；然后在n型ZnO薄膜层上溅射p型NiO薄膜层；最后制作第一电极和第二电极。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管具有较好的电致紫外自由激射发光特性，发光峰值波长在373nm左右，单根激射光线宽小于0.5nm。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管制备工艺简单、成本低廉，易于实现产业化。 |
| 公开日期 | 2011-10-05 |
| 申请日期 | 2010-06-22 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44975]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 常熟紫金知识产权服务有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方国家,龙浩,黄晖辉,等. ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法. CN101888061B. 2011-10-05. |
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