| 基于半导体激光器自混合效应的高反射率测量方法 | |
| 龚元; 李斌成 | |
| 2009-11-11 | |
| 著作权人 | 中国科学院光电技术研究所 |
| 专利号 | CN100559147C |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 基于半导体激光器自混合效应的高反射率测量方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了基于半导体激光器自混合效应的高反射率测量方法，属于对光学元件参数进行测量的技术领域。在测量衰荡时间确定高反射率的现有光腔衰荡技术中，利用半导体激光器的自混合效应，通过控制连续波半导体激光器的后向反馈光强度来提高激光功率到衰荡光腔的耦合效率，使光腔输出信号信噪比大大提高，从而提高了高反射率的测量精度和测量范围。控制后向反馈光强度使光腔输出信号幅值达到最大的方式包括：在半导体激光器和第一块腔镜之间插入线偏振片、衰减片、光隔离器、或可变光阑，或者调节第一块腔镜的俯仰，或者改变激光器和第一块腔镜的距离。 |
| 公开日期 | 2009-11-11 |
| 申请日期 | 2007-04-26 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44893]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院光电技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 龚元,李斌成. 基于半导体激光器自混合效应的高反射率测量方法. CN100559147C. 2009-11-11. |
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