Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ族半导体界面的制备方法 | |
J·M·德皮特; S·古哈; M·A·哈泽; K·-K·劳; T·J·米勒; B·-J·武; J·M·杰尼斯 | |
2005-09-07 | |
著作权人 | 美国3M公司 |
专利号 | CN1218409C |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ族半导体界面的制备方法 |
英文摘要 | 一种在诸如激光二极管的II-VI族半导体器件中重复制备具有较低堆垛层错密度的GaAs/ZnSe和其它III-V/II-VI族半导体界面的方法。该方法包括提供至少包括III族元素源(68,170)、II族元素源(72,92’)、V族元素源(70,172)和VI族元素源(74,98’)的分子束外延(MBE)系统(50,150)。把具有其上待制介面的III-V族半导体表面的半导体衬底(12)定位在MBE系统(50,150)中。然后,将衬底(12)加热到适合III-V族半导体生长的温度,并在衬底的III-V半导体表面上生长晶状III-V族半导体缓冲层。然后,将半导体衬底的温度调节到适合II-VI族半导体生长的温度,并通过交替束外延在III-V族缓冲层上生长晶状II-VI族半导体缓冲层。操作II族源和VI族源,使III-V族缓冲层暴露于VI族元素束流之前暴露于II族元素束流。 |
公开日期 | 2005-09-07 |
申请日期 | 1996-12-05 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44732] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 美国3M公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | J·M·德皮特,S·古哈,M·A·哈泽,等. Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ族半导体界面的制备方法. CN1218409C. 2005-09-07. |
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