| Ⅲ－Ⅴ/Ⅱ－Ⅵ族半导体界面的制备方法 | |
| J·M·德皮特; S·古哈; M·A·哈泽; K·－K·劳; T·J·米勒; B·－J·武; J·M·杰尼斯 | |
| 2005-09-07 | |
| 著作权人 | 美国3M公司 |
| 专利号 | CN1218409C |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Ⅲ－Ⅴ/Ⅱ－Ⅵ族半导体界面的制备方法 |
| 英文摘要 | 一种在诸如激光二极管的II-VI族半导体器件中重复制备具有较低堆垛层错密度的GaAs/ZnSe和其它III-V/II-VI族半导体界面的方法。该方法包括提供至少包括III族元素源(68，170)、II族元素源(72，92’)、V族元素源(70，172)和VI族元素源(74，98’)的分子束外延(MBE)系统(50，150)。把具有其上待制介面的III-V族半导体表面的半导体衬底(12)定位在MBE系统(50，150)中。然后，将衬底(12)加热到适合III-V族半导体生长的温度，并在衬底的III-V半导体表面上生长晶状III-V族半导体缓冲层。然后，将半导体衬底的温度调节到适合II-VI族半导体生长的温度，并通过交替束外延在III-V族缓冲层上生长晶状II-VI族半导体缓冲层。操作II族源和VI族源，使III-V族缓冲层暴露于VI族元素束流之前暴露于II族元素束流。 |
| 公开日期 | 2005-09-07 |
| 申请日期 | 1996-12-05 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44732]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 美国3M公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | J·M·德皮特,S·古哈,M·A·哈泽,等. Ⅲ－Ⅴ/Ⅱ－Ⅵ族半导体界面的制备方法. CN1218409C. 2005-09-07. |
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