半導体ブラッグ反射器および前記反射器の製作方法 | |
レオン·ゴールドスタン; アンス·ビセシユール; アラン·ボデール; フランソワ·ブリユエ; ジヤン·ルイ·ジヤントナー; カトリーヌ·グラベール | |
2003-04-11 | |
著作权人 | アルカテル |
专利号 | JP3418553B2 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 半導体ブラッグ反射器および前記反射器の製作方法 |
英文摘要 | 【課題】 屈折率差が大きく、反射率が高い半導体ブラッグ反射器およびその製作方法を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体ブラッグ反射器は、III-V族材料の基板上の複数の積み重ねられた層を含み、積み重ねられた層のうちの一層がホログラフィ格子を形成する。格子を形成する層は、空隙部とIII-V族材料との交互の連続部を含む。このような反射器はレーザ装置で使用するのに特に適している。 |
公开日期 | 2003-06-23 |
申请日期 | 1998-06-26 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44498] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | アルカテル |
推荐引用方式 GB/T 7714 | レオン·ゴールドスタン,アンス·ビセシユール,アラン·ボデール,等. 半導体ブラッグ反射器および前記反射器の製作方法. JP3418553B2. 2003-04-11. |
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