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	Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
	HASKELL, BENJAMIN, A.; CRAVEN, MICHAEL, D.; FINI, PAUL, T.; DENBAARS, STEVEN, P.; SPECK, JAMES, S.; NAKAMURA, SHUJI
著作权人	THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
专利号	WO2004061909A1
国家	世界知识产权组织
文献子类	发明申请
其他题名	Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
英文摘要	Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar a-plane gallium nitride (GaN) films by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) results in significantly reduced defect density.
公开日期	2004-07-22
申请日期	2003-07-15
状态	未确认
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43461]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
推荐引用方式 GB/T 7714	HASKELL, BENJAMIN, A.,CRAVEN, MICHAEL, D.,FINI, PAUL, T.,et al. Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy. WO2004061909A1.

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