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	Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
	HASKELL, BENJAMIN A.; FINI, PAUL T.; MATSUDA, SHIGEMASA; CRAVEN, MICHAEL D.; DENBAARS, STEVEN P.; SPECK, JAMES S.; NAKAMURA, SHUJI
著作权人	THE JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CENTER
专利号	US20060008941A1
国家	美国
文献子类	发明申请
其他题名	Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
英文摘要	Highly planar non-polar a-plane GaN films are grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques
公开日期	2006-01-12
申请日期	2003-07-15
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43460]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	THE JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CENTER
推荐引用方式 GB/T 7714	HASKELL, BENJAMIN A.,FINI, PAUL T.,MATSUDA, SHIGEMASA,et al. Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy. US20060008941A1.

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