| 用于集成激光二极管/光子芯片接口的抗反射结构 | |
| K·萨亚赫; P·R·帕特森; B·黄 | |
| 著作权人 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
| 专利号 | CN109270601A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于集成激光二极管/光子芯片接口的抗反射结构 |
| 英文摘要 | 一种制造LIDAR芯片并且将抗反射(AR)涂层应用于LIDAR芯片的耦合结构的方法。耦合结构形成在晶片上。在与耦合结构相邻的晶片中形成凹坑。AR材料沉积在晶片和耦合结构的顶部上。蚀刻AR材料以在耦合结构上形成AR涂层。 |
| 公开日期 | 2019-01-25 |
| 申请日期 | 2018-07-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43388]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | K·萨亚赫,P·R·帕特森,B·黄. 用于集成激光二极管/光子芯片接口的抗反射结构. CN109270601A. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论