| CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应 | |
| 滕树新; 王矜奉; 陈洪存; 苏文斌; 臧国忠; 高建鲁 | |
| 刊名 | 电子元件与材料
 |
| 2003 | |
| 卷号 | 22期号:11 |
| 关键词 | 压敏材料 二氧化锡 电学性能 缺陷势垒模型 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6769187 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 1.山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国. 2.山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国. 3.山东大学物理与微电子学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 滕树新,王矜奉,陈洪存,等. CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应[J]. 电子元件与材料,2003,22(11). |
| APA | 滕树新,王矜奉,陈洪存,苏文斌,臧国忠,&高建鲁.(2003).CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应.电子元件与材料,22(11). |
| MLA | 滕树新,et al."CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应".电子元件与材料 22.11(2003). |
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