| 新型MOS氧化层TiO_2薄膜 | |
| 张良; 陆鸣; 王民; 许效红 | |
| 刊名 | 压电与声光
 |
| 2003 | |
| 卷号 | 25期号:6页码:494-496 |
| 关键词 | TiO_2薄膜 MOS结构 介电常数 电阻率 表面固定电荷密度 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6767853 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 1.上海交通大学微纳米院微电子所, 上海 200052, 中国. 2.上海交通大学微纳米院微电子所, 上海 200052, 中国. 3.山东大学晶体所, 济南, 山东 2501 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张良,陆鸣,王民,等. 新型MOS氧化层TiO_2薄膜[J]. 压电与声光,2003,25(6):494-496. |
| APA | 张良,陆鸣,王民,&许效红.(2003).新型MOS氧化层TiO_2薄膜.压电与声光,25(6),494-496. |
| MLA | 张良,et al."新型MOS氧化层TiO_2薄膜".压电与声光 25.6(2003):494-496. |
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