Fundamental Bounds on Power Reduction during Data-Retention in Standby SRAM | |
Ramchandran,K.; Ishwar,P.; Qin,H.; Rabaey,J.; Kumar,A. | |
会议日期 | 2007 |
会议地点 | new Orleans,LA 【会议录】 |
关键词 | CMOS memory circuits Hamming codes SRAM chips algebraic codes error correction codes low-power electronics CMOS technology Hamming codes SRAM cell algebraic coding data retention error-control code information theory leakage-power reduction standby suppl |
会议录 | Circuits and Systems, Proceedings of 2007 IEEE International Symposium on
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URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6765149 |
专题 | 上海电子信息职业技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Ramchandran,K.,Ishwar,P.,Qin,H.,et al. Fundamental Bounds on Power Reduction during Data-Retention in Standby SRAM[C]. 见:. new Orleans,LA 【会议录】. 2007. |
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