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	Fundamental Bounds on Power Reduction during Data-Retention in Standby SRAM
	Ramchandran,K.; Ishwar,P.; Qin,H.; Rabaey,J.; Kumar,A.
会议日期	2007
会议地点	new Orleans,LA 【会议录】
关键词	CMOS memory circuits Hamming codes SRAM chips algebraic codes error correction codes low-power electronics CMOS technology Hamming codes SRAM cell algebraic coding data retention error-control code information theory leakage-power reduction standby suppl
会议录	Circuits and Systems, Proceedings of 2007 IEEE International Symposium on ; New Orleans,LA 【关键词】
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6765149
专题	上海电子信息职业技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	Ramchandran,K.,Ishwar,P.,Qin,H.,et al. Fundamental Bounds on Power Reduction during Data-Retention in Standby SRAM[C]. 见:. new Orleans,LA 【会议录】. 2007.

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