| 多重气固反应制备一维SiC纳米线 | |
| 李甲林，唐元洪，李小祥，李晓川 | |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 2008 | |
| 卷号 | 第29卷 第9期页码:1786-1789 |
| 关键词 | SiC纳米线 多重气固反应 生长机理 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 公开日期 | [db:dc_date_available] |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6704826 |
| 专题 | 湖南大学 |
| 作者单位 | 湖南大学材料科学与工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李甲林，唐元洪，李小祥，李晓川. 多重气固反应制备一维SiC纳米线[J]. 半导体学报,2008,第29卷 第9期:1786-1789. |
| APA | 李甲林，唐元洪，李小祥，李晓川.(2008).多重气固反应制备一维SiC纳米线.半导体学报,第29卷 第9期,1786-1789. |
| MLA | 李甲林，唐元洪，李小祥，李晓川."多重气固反应制备一维SiC纳米线".半导体学报 第29卷 第9期(2008):1786-1789. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论