多重气固反应制备一维SiC纳米线 | |
李甲林,唐元洪,李小祥,李晓川 | |
刊名 | 半导体学报
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2008 | |
卷号 | 第29卷 第9期页码:1786-1789 |
关键词 | SiC纳米线 多重气固反应 生长机理 |
URL标识 | 查看原文 |
公开日期 | [db:dc_date_available] |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6704826 |
专题 | 湖南大学 |
作者单位 | 湖南大学材料科学与工程学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李甲林,唐元洪,李小祥,李晓川. 多重气固反应制备一维SiC纳米线[J]. 半导体学报,2008,第29卷 第9期:1786-1789. |
APA | 李甲林,唐元洪,李小祥,李晓川.(2008).多重气固反应制备一维SiC纳米线.半导体学报,第29卷 第9期,1786-1789. |
MLA | 李甲林,唐元洪,李小祥,李晓川."多重气固反应制备一维SiC纳米线".半导体学报 第29卷 第9期(2008):1786-1789. |
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