| 深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET的二维电流模型 | |
| 张燕; 高有堂; 曾云 | |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 2009 | |
| 卷号 | 第39卷 第5期页码:684-688 |
| 关键词 | 深亚微米 全耗尽 SOI BJMOSFET 二维电流模型 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 公开日期 | [db:dc_date_available] |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6686932 |
| 专题 | 湖南大学 |
| 作者单位 | 1.南阳理工学院 2.湖南大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张燕,高有堂,曾云. 深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET的二维电流模型[J]. 微电子学,2009,第39卷 第5期:684-688. |
| APA | 张燕,高有堂,&曾云.(2009).深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET的二维电流模型.微电子学,第39卷 第5期,684-688. |
| MLA | 张燕,et al."深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET的二维电流模型".微电子学 第39卷 第5期(2009):684-688. |
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