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	全硅集成光学-理论与工艺(Ⅱ)(续一)-第二讲 1.3~1.6μM硅光探测器
	李国正; 李道全; 赵策洲
刊名	半导体光电
	1994
期号	2页码:178-190
关键词	临界厚度 热空穴 内部量子效率 硅雪崩光电二极管 外部量子效率 应变层 红外探测器 光探测 应变超晶格 集成光学
ISSN号	1001-5868
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收录类别	PKU
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6646671
专题	西安交通大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李国正,李道全,赵策洲. 全硅集成光学-理论与工艺(Ⅱ)(续一)-第二讲 1.3~1.6μM硅光探测器[J]. 半导体光电,1994(2):178-190.
APA	李国正,李道全,&赵策洲.(1994).全硅集成光学-理论与工艺(Ⅱ)(续一)-第二讲 1.3~1.6μM硅光探测器.半导体光电(2),178-190.
MLA	李国正,et al."全硅集成光学-理论与工艺(Ⅱ)(续一)-第二讲 1.3~1.6μM硅光探测器".半导体光电 .2(1994):178-190.

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