C-V characteristics of SiO2 thin films prepared by sol-gel method | |
Liu, Yun; Zhai, Jiwei; Ying, Mingzi; Zhang, Liangying; Yao, Xi | |
1996 | |
DOI | 10.1109/ISE.1996.578195 |
页码 | 706-709 |
收录类别 | CPCI-S ; EI ; SCOPUS |
会议录 | ISE 9 - 9TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ELECTRETS, PROCEEDINGS
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URL标识 | 查看原文 |
WOS记录号 | WOS:A1996BH11M00125 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6640402 |
专题 | 西安交通大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, Yun,Zhai, Jiwei,Ying, Mingzi,et al. C-V characteristics of SiO2 thin films prepared by sol-gel method[C]. 见:. |
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