| GaAs MESRET平面型变容管高频特性分析 | |
| 孙晓玮; 罗晋生 | |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 1999 | |
| 期号 | 8页码:128-129,139 |
| 关键词 | MESFET 砷化镓 高频特性 变容二极管 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CSCD ; PKU |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6628507 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙晓玮,罗晋生. GaAs MESRET平面型变容管高频特性分析[J]. 电子学报,1999(8):128-129,139. |
| APA | 孙晓玮,&罗晋生.(1999).GaAs MESRET平面型变容管高频特性分析.电子学报(8),128-129,139. |
| MLA | 孙晓玮,et al."GaAs MESRET平面型变容管高频特性分析".电子学报 .8(1999):128-129,139. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论