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	一种铜膜的制备方法
	卢磊 ; 斯晓 ; 陶乃熔 ; 隋曼龄 ; 卢柯
	2005
关键词	铜膜制备 薄膜厚度 纳米材料 晶粒尺寸
中文摘要	内容简介：以晶粒尺寸小于100nm的纳米Cu为原材料，纯度高于9.995％wt％，密度为8.91±.03g/cm<'3>， 在室温冷轧，变形速率：1×10<'-5>-1×10<'-1>/s。该发明制备出的铜膜表面质量好，可以达到很薄膜的厚度，并且工艺简单，使用普通的轧制设备即可实现。申请国家专利二项，其中发明专利一项，实用型专利一项。
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://210.72.142.130/handle/321006/69238]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	卢磊,斯晓,陶乃熔,等. 一种铜膜的制备方法. . 2005.

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