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	SiC（0001）（√3×√3）R30°结构的XPS分析
	王秀娥[1]; 章小丽[2]; 洪正平[3]; 徐昌贵[1]
	2010
卷号	34期号:6页码:100-102
关键词	表面重构 能态 光电子 能谱 能量漂移
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6596321
专题	山东师范大学
作者单位	1.[1]北京工商大学机械工程学院,北京100048 2.[2]北京交通大学理学院,北京100044 3.[3]山东师范大学物理与电子科学学院,山东济南250014
推荐引用方式 GB/T 7714	王秀娥[1],章小丽[2],洪正平[3],等. SiC（0001）（√3×√3）R30°结构的XPS分析[J],2010,34(6):100-102.
APA	王秀娥[1],章小丽[2],洪正平[3],&徐昌贵[1].(2010).SiC（0001）（√3×√3）R30°结构的XPS分析.,34(6),100-102.
MLA	王秀娥[1],et al."SiC（0001）（√3×√3）R30°结构的XPS分析".34.6(2010):100-102.

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